Исследования пористой структуры тонких пленок для микроэлектроники

7 декабря 2023 г. (четверг) в малом зале ИХТРЭМС КНЦ РАН в 14:30 состоится лекция ведущего инженера-технолога Могильникова Константина Петровича, сотрудника Института физики полупроводников им. А.В. Ржанова СО РАН, г. Новосибирск.

Тема лекции: Исследования пористой структуры тонких пленок для микроэлектроники

Эллипсометрическая порометрия – метод, позволяющий измерять не только все основные характеристики пористых слоев, но также и определять толщину и оптические характеристики слоя. Работает только с оптически гладкими слоями – сильное рассеяние от шероховатых слоев не позволяет проводить эллипсометрические измерения. Измерения адсорбции в потоке позволяют уменьшить время измерения и измерять образцы любых размеров, не ограниченных размерами измерительной камеры. Этот метод позволяет исследовать не только прозрачные, но и поглощающие слои на любых оптически гладких подложках.

План лекции

Введение

1. Современные методы исследования пористой структуры тонких пленок

1.1 Оптическая и электронная микроскопия

1.2 Методы рассеяния – SAXS, SANS, GISAXS

1.3 Аннигиляция позитрония – PAS, PALS

1.4 Адсорбционные методы – NP, QCM, EP.

2. Развитие Эллипсометрической Порометрии (ЕР):

2.1 Вакуумная система с лазерным эллипсометром

2.2 Атмосферная и струйная системы со спектральным эллипсометром

2.3 Методика измерений и расчетов пористой структуры

2.4 Определение модуля Юнга

3. Некоторые экспериментальные результаты:

3.1 Прозрачные диэлектрические слои для микроэлектроники

3.2 Мембраны из окисленного пористого кремния

3.3 Тонкие слои окисленного пористого кремния на кремнии

Заключение

Ссылка для дистанционного участия в лекции: https://telemost.yandex.ru/j/91202391014226